"Infineon-Promotionspreis" für Physiker Dr. Matthias Drüppel
Dr. Matthias Drüppel vom Institut für Festkörpertheorie der Westfälischen Wilhelms-Universität Münster (WWU) erhält für seine herausragende Dissertation einen mit 2500 Euro dotierten Infineon-Promotionspreis. Der Physiker hat die grundlegenden optischen Eigenschaften neuartiger, atomar dünner Halbleiter-Materialien untersucht. Diese können als Ausgangspunkt für die nächste Generation optischer und elektronischer Bauelemente dienen. Den Infineon-Promotionspreis vergibt der Fachbereich Physik der WWU jährlich gemeinsam mit der Infineon AG, Warstein.
Seine Dissertation fertigte Matthias Drüppel in der Arbeitsgruppe von Prof. Dr. Michael Rohlfing und Prof. Dr. Peter Krüger an. Er berechnete optische Anregungszustände von Übergangsmetall-Dichalkogeniden. Dabei handelt es sich um Verbindungen von Übergangsmetallen wie Molybdän oder Wolfram mit sogenannten Chalkogenen wie Schwefel, Selen oder Tellur. Bei der Absorption von Licht entstehen in diesen Systemen elektronische Zustände – sogenannte Exzitonen und Trionen –, die für neuartige Bauelemente an der Schnittstelle zwischen Optik und Elektronik wichtig sein können. Diese Zustände wurden gleichzeitig in weiteren Arbeitsgruppen am Fachbereich Physik der WWU Münster und am "Instituto de Estudios Avanzados en Nanociencia" in Madrid, Spanien, vermessen. Durch diese koordinierten experimentellen und theoretischen Untersuchungen gelangten Matthias Drüppel und seine Kollegen zu einem vertieften umfassenden Verständnis und neuartigen Erkenntnissen zur Optik dünner Halbleiter, vor allem bei äußeren Einflüssen wie Verformung und bei Kontakt mit weiteren Komponenten, die in der Umgebung dünner Schichten immer auftreten.
Zum Hintergrund: Materie besteht aus Atomen, die wiederum aus Kernen und Elektronen zusammengesetzt sind. Die quantenmechanische Wechselwirkung zwischen diesen Teilchen führt zu vielen physikalischen Phänomenen, die Gegenstand aktueller Forschung sind – besonders in nanostrukturierten Systemen mit Abmessungen auf der atomaren Längenskala. Hierzu zählen ultradünne Schichten, die nur wenige Atomlagen dick sind und bei denen viele physikalische Prozesse nur in zwei anstelle der sonst üblichen drei Raumdimensionen ablaufen. Langfristig erhofft man sich von solchen Materialien bessere optoelektronische Eigenschaften als zum Beispiel von Silizium. Ultradünne Schichthalbleiter könnten eines Tages die konventionellen Halbleiter als Standardmaterial der Elektronik ablösen.
Die Auszeichnung wird am Freitag, 28. Juli, während der Promotionsfeier des Fachbereichs Physik überreicht. Beginn der Feier ist um 15 Uhr im Hörsaal HS2 im Gebäude IG I der Physik, Wilhelm-Klemm-Straße 10.