Einblicke in die Energielandschaft eines „memristiven“ Materials

Für moderne Datenspeicher und neue Rechenkonzepte sind sogenannte memristive Materialien interessant, da sie Informationen ohne kontinuierliche Energiezufuhr speichern können und bereits kleine Veränderungen ihrer atomaren Struktur zu deutlichen Änderungen des elektrischen Widerstands führen. Dadurch lassen sich sehr dichte Netzwerke aus Speicherzellen realisieren, in denen Rechenoperationen direkt im Speicher stattfinden können. Auf diese Weise kann der zeit- und energieintensive Datenaustausch zwischen Prozessor und Datenspeicher vermieden werden. Diese hohe Empfindlichkeit, die sie für Anwendungen attraktiv macht, hat allerdings eine Kehrseite. So führen in einem nanometrisch kleinen Volumen von Germaniumtellurid, einem besonders vielseitigen Material für memristive und ferroelektrische Anwendungen, selbst geringfügige atomare Umordnungen zu einem intrinsischen Rauschen (spontanen Widerstandsänderungen). Anhand dieses Rauschens konnte Doktorand Sebastian Walfort mit einem Team um Prof. Dr. Martin Salinga am Institut für Materialphysik nun thermodynamische Größen ableiten und die Energielandschaft vermessen, die das Verhalten des Materials bestimmt.
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