Kooperationen (national und international):


Viele Untersuchungen wären ohne Kooperationen mit inländischen und ausländischen Forschungseinrichtungen nicht möglich gewesen. Einige herausragende Beispiele sind hier genannt:

  • Prof. Dr. Georg Bastian
    Hochschule Rhein-Waal
    Untersuchung und Charakterisierung thermoelektrischer Materialien
  • Prof. Dr. D. Bougeard
    Institut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Regensburg
    MBE Wachstum von isotopenangereicherten Germaniumheterostrukturen
  • Prof. Dr. F. Briones und Dr. J.P. Silveira
    Universität Madrid, Institut für Mikroelektronik
    MBE-Wachstum von isotopenangereicherten 69Ga121Sb/71Ga123Sb Schichtstrukturen
  • Prof. Dr. M. Cardona und K. Eberl
    Max-Planck-Institut Stuttgart
    MBE Wachstum von AlGaAs/GaAs Heterostrukturen
  • Dr. A. Chroneos
    Imperial College London, Department of Materials
    Atomistische Simulationen von Defekten und deren Wechselwirkung in Germanium, Silizium-Germanium und Silizium-Germanium-Zinn Legierungen
  • Dr. R. Falster
    SunEdison, Meran, Italy
    Eigenschaften von intrinsischen Defekten in Silizium
  • Dr. W. Graf und Dr. F. Natrup
    Bodycote Wärmebehandlung GmbH, Sprockhövel
    Sherardisierung von Stahl
  • Dr. D. Grambole
    Forschungszentrum Rossendorf, Institut für Ionenstrahlphysik und Materialforschung
    Kernreaktions-Resonanzanalyse von Wasserstoff in Gläsern
  • Prof. E.E. Haller
    Lawrence Berkeley National Laboratory
    and University of California at Berkeley

    Dotieratom-Diffusion in isotopenangereicherten Siliciumschichtstrukturen und entsprechenden Schichtstrukturen von GaAs bzw. GaSb
  • Dipl. Phys. J. Klug,
    RUBION, Ruhr-Universität Bochum
    Protonenbestrahlung
  • Prof. Dr. A. Nylandsted Larsen
    Universität Aarhus, Institut für Physik und Astronomy
    MBE-Wachstum von Si-Ge Epitaxieschichten, Siliziumdiffusion in isotopenangereicherten Siliziumschichtstrukturen unter Protonenbestrahlung
  • Dr. G. Pensl
    Universität Erlangen, Institut für Angewandte Physik
    Bor und Silicium Diffusion in Siliciumkarbid
  • PD Dr. Anton Plech
    Karlsruher Institut für Technologie, Institute for Synchrotron Radiation
    Röntgenographische Untersuchung von isotopenangereicherten Halbleiter-Multischichtstrukturen
  • Dr. M. Posselt und Dr. Bernd Schmidt
    Forschungszentrum Rossendorf, Institut für Ionenstrahlphysik und Materialforschung
    Strahlungsinduzierte Defekte in Halbleitern
  • Prof. Dr. B. Roling
    Universität Marburg, Physikalische Chemie
    Ionendynamik in Mischkationensilikatgläsern
  • Dr. I. Romandic
    Umicore - Electro-Optic Materials, Olen, Belgium
    Eigendefekte in Germanium.
  • Dr. A. Schirmeisen und Prof. H. Fuchs
    Universität Münster, Physikalisches Institut
    Nanoskopische Leitfähigkeitsmessungen mit der Rasterkraftmikroskopie
  • Prof. Dr. H. Schmidt, Institut für Metallurgie
    Untersuchungen zur Selbstdiffusion mit Hilfe der Neutronenreflektometrie
  • Dr. Eddy Simoen
    IMEC, Kapeldreef 75, Leuven, Belgium
    Wechselwirkung zwischen Eigen- und Dotieratomen in SiGe, Nano-Spreading-Resistance Analysen
  • Dr. M. Luysberg und Prof. Dr. K. Urban
    Forschungszentrum Jülich, Institut für Festkörperforschung
    Al-Ga Interdiffusion in AlSb/GaSb Heterostrukturen