Collaborations

  • National

  • International

    • Dr. Giuliana Impellizzeri und Dr. Elena Bruno
      Center MATIS CNR-IMM,  Catania, Italien
      Diffusionsphänomene in Silizium und Germanium unter Gleichgewichts- und Nichtgleichgewichtsbedingungen
    • Prof. Dr. F. Briones und Dr. J.P. Silveira
      Universität Madrid, Institut für Mikroelektronik, Madrid, Spain
      MBE-Wachstum von isotopenangereicherten 69Ga121Sb/71Ga123Sb Schichtstrukturen
    • Dr. A. Chroneos
      Imperial College London, Department of Materials, London, United Kingdom
      Atomistische Simulationen von Defekten und deren Wechselwirkung in Germanium, Silizium-Germanium und Silizium-Germanium-Zinn Legierungen
    • Dr. R. Falster
      SunEdison, Meran, Italy
      Eigenschaften von intrinsischen Defekten in Silizium
    • Prof. E.E. Haller
      Lawrence Berkeley National Laboratory
      and University of California at Berkeley

      Dotieratom-Diffusion in isotopenangereicherten Siliciumschichtstrukturen und entsprechenden Schichtstrukturen von GaAs bzw. GaSb
    • Prof. Dr. A. Nylandsted Larsen
      Universität Aarhus, Institut für Physik und Astronomy, Aarhus, Denmark
      MBE-Wachstum von Si-Ge Epitaxieschichten, Siliziumdiffusion in isotopenangereicherten Siliziumschichtstrukturen unter Protonenbestrahlung
    • Dr. I. Romandic
      Umicore - Electro-Optic Materials, Olen, Belgium
      Eigendefekte in Germanium.
    • Dr. Eddy Simoen
      IMEC, Kapeldreef 75, Leuven, Belgium
      Wechselwirkung zwischen Eigen- und Dotieratomen in SiGe, Nano-Spreading-Resistance Analysen