Fachbereich 11 - Physik
Institut für Festkörpertheorie
Lehrstuhl Prof. Dr. Pollmann gemeinsam mit Prof. Dr. P. Krüger und PD Dr. M. Rohlfing

SIC Oberflächen

Siliziumkarbid (SiC) ist ein Halbleitermaterial mit vielversprechendem Potential für Anwendungen in der Mikro- und Optoelektronik. Daher werden SiC Oberflächen weltweit intensiv studiert. Wir haben im Laufe des Berichtszeitraumes unsere Untersuchungen von SiC Oberflächen weitergeführt und strukturelle sowie elektronische Eigenschaften der technologisch wichtigen 3C-SiC(001)-c(2x2) Oberfläche im Detail analysiert. Dabei wurden die Oberflächenbandstruktur, elektronische Ladungsdichten und Rastertunnelmikroskopie-Topogramme sowie Höhenprofile sowohl für die spannungsfreie Oberfläche als auch für die Oberfläche unter Druckspannung berechnet. Die Ergebnisse erlauben es, experimentelle Photoemissionsdaten und Rastertunnelmikroskopiedaten zu interpretieren. Die numerischen Berechnungen der physikalischen Eigenschaften dieser rekonstruierten Oberfläche sind sehr aufwendig und wurden daher extern auf dem Cray T3E Parallelrechner am John von Neuman Institut für Computing des Forschungszentrums Jülich durchgeführt.

Drittmittelgeber:

Deutsche Forschungsgemeinschaft, NIC des Forschungszentrums Jülich

Beteiligte Wissenschaftler:

Dr. Fu-He Wang, Prof. Dr. P. Krüger, Prof. Dr. J. Pollmann

Veröffentlichungen:

Wang, Fu-He, P. Krüger und J. Pollmann: First principles investigation of the C-terminated ß-SiC(001)-c(2x2) surface, Phys. Rev. B 66, 195335 (2002)