Fachbereich 11 - Physik
Institut für Festkörpertheorie
Lehrstuhl Prof. Dr. Pollmann gemeinsam mit Prof. Dr. P. Krüger und PD Dr. M. Rohlfing

Wide-band-gap Halbleiter

In diesem Projektbereich wurde das Studium der Oberflächeneigenschaften von Gruppe III-Nitriden fortgesetzt. Gruppe III-Nitride zeichnen sich durch eine relativ große Bandlücke aus. Sie gehören daher zur Materialklasse der so genannten wide-band-gap Halbleiter, die ein außerordentlich breites Anwendungsspektrum in der Mikro-, Nano- und Optoelektronik haben. Die Kenntnis der atomaren und elektronischen Eigenschaften der Oberflächen dieser Halbleiter ist grundlegend wichtig für die Anwendungen. Auch bei diesen Studien haben sich die im Projektbereich B1 entwickelten SIRC Pseudopotentiale für eine möglichst quantitative Beschreibung der elektronischen Eigenschaften als sehr hilfreich erwiesen. Insbesondere wurden im Berichtszeitraum sowohl reine als auch adsorbatbedeckte hexagonale GaN(0001) und GaN(000-1) Oberflächen als auch Ga_xAl_1-xN und Ga_xIn_1-xN Legierungen studiert.

Drittmittelgeber:

Deutsche Forschungsgemeinschaft

Beteiligte Wissenschaftler:

Dr. Fu-He Wang, Dr. F. Sökeland, Prof. Dr. P. Krüger, PD Dr. M. Rohlfing, Prof. Dr. J. Pollmann

Veröffentlichungen:

Wang, Fu-He, P. Krüger und J. Pollmann: Electronic structure of 1x1 GaN(0001) and GaN(000-1) surfaces, Phys. Rev. B 64, 035305 (2001)

Wang, Fu-He, P. Krüger, und J. Pollmann: Surface electronic structure of GaN(000-1)-(1x1): Comparison between theory and experiment, Surf. Sci. 499, 193 (2002)

Sökeland, F., M. Rohlfing, P. Krüger und J. Pollmann: Density functional and quasiparticle band-structure calculations for Ga_xAl_1-xN and Ga_xIn_1-xN alloys, bei Phys. Rev. B (im Druck)