Lehrstuhl Prof. Dr. J. Pollmann gemeinsam mit Prof. Dr. P. Krüger und PD Dr. M.
Rohlfing
Wide-band-gap Halbleiter
Gruppe III-Nitride zeichnen sich durch eine relativ große Bandlücke aus. Sie gehören daher
zur Materialklasse der so genannten wide-band-gap Halbleiter, die ein außerordentlich breites
Anwendungsspektrum in der Mikro-, Nano- und Optoelektronik haben. Die Kenntnis der atomaren und
elektronischen Eigenschaften dieser Halbleiter, ihrer Oberflächen und von Legierungen aus
verschiedenen Gruppe III-Nitriden ist grundlegend wichtig für die Anwendungen. Auch bei unseren
Studien dieser Materialien haben sich die von uns entwickelten SIRC
Pseudopotentiale für eine möglichst quantitative Beschreibung der elektronischen Eigenschaften
als sehr hilfreich erwiesen. Insbesondere wurden im Berichtszeitraum GaxAl1-xN und
GaxIn1-xN Legierungen untersucht.
