Westfälische Wilhelms-Universität
Münster
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Institut für Angewandte Physik Corrensstr. 2/4 48149 Münster Direktoren: Prof. Dr. W. Lange und Prof. Dr. H.-G. Purwins |
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Fax: (0251) 83-3 35 13 e-mail: iap@uni-muenster.de www: http://www.uni-muenster.de/Physik/AP |
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Forschungsschwerpunkte 2001 - 2002 Fachbereich 11 - Physik
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Strukturbildung in Halbleiterbauelementen
Gegenstand der
Forschung sind Selbstorganisationseffekte in zwei Halbleiterbauelementen: pnpn-Strukturen auf Siliziumbasis
und mangandotierte ZnS:Mn-Schichten.
In thyristorähnlichen
pnpn-Strukturen, die mit mehreren sog. Gates-Elektroden versehen sind, können an einem Gate bistabile
Hochstromfronten gezündet werden, die sich dann über das gesamte Bauelement ausbreiten.
Dieser Effekt wurde genutzt, um eine hardwaremäßige Realisierung eines Lernalgorithmus
für neuronale Netze zu implementieren ("Kohonen-Algorithmus"). Die experimentellen Arbeiten, die
den Aufbau eines künstlichen neuronalen Netzes aus analogen und digitalen elektronischen Bausteinen
beinhalteten, wurden durch numerische Simulationen der Frontausbreitung in Thyristorstrukturen begleitet.
Dünne,
mangandotierte Zinksulfid-Schichten emittieren bernsteingelbes Licht und finden daher Anwendung in
Elektrolumineszenz-Displays. Unter geeigneten Bedingungen lassen sich in der Lichtverteilung quer zur
Stromflußrichtung selbstorganisierte, dynamische Leuchtdichtemuster beobachten. Schwerpunkt der
Untersuchungen in den letzten zwei Jahren war eine detaillierte Untersuchung der Energieniveaus in der
Bandlücke des ZnS und die Entwicklung eines theoretischen Modells, um die lokale Dynamik des
Mediums zu beschreiben. Hierzu wurde ein Gleichungssystem vorgeschlagen, das neben elektrischen
Größen wie Elektronen, Löchern und elektrischem Feld auch die Temperatur und die
Lichtemission berücksichtigt.
Ein Teil der
untersuchten Halbleiterproben wurde in eigener Technologie hergestellt. Zum Einsatz
kamen dabei Verfahren wie Elektronenstrahlverdampfung, Magnetron-Sputtering und Schiffchenverdampfung
im Hochvakuum. In der Silizium-Technologie wurden Diffusions-, Oxidations- und Photolithographie-Prozesse
durchgeführt.
Die Arbeiten erfolgten in Kooperation mit dem Institut
für Festkörpertheorie der Universität Münster, der Infineon AG, des A.F. Ioffe
Instituts der Russischen Akademie der Wissenschaften (St. Petersburg) und dem Institut für
Halbleiterphysik der Akademie der Wissenschaften der Ukraine (Kiew).
Drittmittelgeber: Beteiligte Wissenschaftler: Veröffentlichungen: |
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