Wide-band-gap Halbleiter

In diesem Projektbereich wurde das Studium von Oberflächeneigenschaften von Gruppe III-Nitriden fortgesetzt. Gruppe III-Nitride zeichnen sich durch eine relativ große Bandlücke aus. Sie gehören daher zur Materialklasse der sogenannten wide-band-gap Halbleiter, die ein außerordentlich breites Anwendungsspektrum in der Mikro-, Nano- und Optoelektronik haben. Die Kenntnis der atomaren und elektronischen Eigenschaften der Oberflächen dieser Halbleiter ist grundlegend wichtig für die Anwendungen. Insbesondere wurden im Berichtszeitraum reine und adsorbatbedeckte GaN(0001) Oberflächen studiert. Auch bei diesen Studien haben sich die im Projektbereich B₁ entwickelten SIRC Pseudopotentiale für eine möglichst quantitative Beschreibung der elektronischen Eigenschaften als sehr hilfreich erwiesen. Einen Überblick über eine ganze Reihe von Oberflächen von Gruppe III-Nitriden gibt der Review Artikel im 'Handbook of Surface Science'. Weiterhin wurden Legierungen von Gruppe III-Nitriden sowohl mit gewöhnlichen als auch mit selbstwechselwirkungskorrigierten Pseudopotentialen untersucht und die Einflüsse von SIRC Pseudopotentialen auf das elektronische Spektrum und das 'bowing' Verhalten von Kenngrößen wurden analysiert.

Drittmittelgeber:

Deutsche Forschungsgemeinschaft, NIC des Forschungszentrums Jülich

Beteiligte Wissenschaftler:

Dr. F.-H. Wang, Dipl.-Phys. F. Sökeland, Dr. M. Rohlfing, HDoz. Dr. P. Krüger, Prof. Dr. J. Pollmann

Veröffentlichungen:

Wang, F.-H., P. Krüger, J. Pollmann: Electronic structure of 1×1 GaN(0001) and GaN (000) surfaces, Phys. Rev. B, im Druck

Pollmann, J., P. Krüger: Electronic Structure of Semiconductor Surfaces, Chapter 2, in Handbook of Surface Science, Elsevier Science B.V. pp. 96-208 (2000)