SiC Oberflächen

Siliziumkarbid (SiC) ist ein Halbleitermaterial mit vielversprechendem Potential für Anwendungen in der Mikro- und Optoelektronik. Daher werden SiC Oberflächen weltweit intensiv studiert. Wir haben im Laufe des Berichtszeitraumes unsere Untersuchungen von SiC Oberflächen weitergeführt und strukturelle sowie elektronische Eigenschaften der technologisch wichtigen 3C-SiC(001) und 6H-SiC(0001) Flächen im Detail analysiert. Dabei haben wir auch neue Strukturmodelle für die (3×2) und die (5×2) Rekonstruktion der kubischen Oberfläche vorgeschlagen und die 6H-SiC(0001)-(× ) Oberfläche als Mott-Hubbard Isolator identifiziert.

Die numerischen Berechnungen der physikalischen Eigenschaften dieser rekonstruierten Oberflächen sind sehr aufwendig und konnten daher auf den Rechnern der Universität Münster nicht sinnvoll bewerkstelligt werden. Wir haben daher von geeigneter Rechenkapazität auf Parallelrechnern am John von Neumann Institut für Computing des Forschungszentrums Jülich und am Bundes-Höchstleistungsrechenzentrum an der Universität Stuttgart Gebrauch gemacht.

Drittmittelgeber:

Deutsche Forschungsgemeinschaft, NIC des Forschungszentrums Jülich, Bundes- Höchstleistungsrechenzentrum Stuttgart

Beteiligte Wissenschaftler:

Dr. W. Lu, HDoz. Dr. P. Krüger, Dr. M. Rohlfing, Prof. Dr. J. Pollmann

Veröffentlichungen:

Lu, W., P. Krüger, J. Pollmann: Ab initio Calculation on Clean and Oxygen Covered 6H-SiC(0001) Surfaces: ( × )-R30° Reconstruction, Proceedings of ICSCRM'99, Rayleigh, North Carolina, USA, Trans Tech Publications LTD, (Switzerland, 1999), p. 345

Pollmann, J., P. Krüger, W. Lu: Theory of Structural and Electronic Properties of Cubic SiC Surfaces, Proceedings of ICSCRM'99, Rayleigh, North Carolina, USA, Trans Tech Publications LTD, (Switzerland, 1999), p. 369

Lu, W., P. Krüger, J. Pollmann: Atomic and electronic structure of b-SiC(001)-(3×2), Phys. Rev. B 60, 2495 (1999)

Rohlfing, M., J. Pollmann: Calculation of the U Parameter of the Mott-Hubbard Insulator 6H-SiC(0001)-( × ), Phys. Rev. Lett. 84, 135 (2000)

Lu, W., P. Krüger, J. Pollmann: Ab-initio studies of the b-SiC(001)-(5×2) surface, Phys. Rev. B 61, 2680 (2000)

Lu, W., P. Krüger, J. Pollmann: Atomic and electronic structure of silicate adlayers on polar hexagonal SiC surfaces, Phys. Rev. B 61, 13 737 (2000)