Fluoridoberflächen und dünne Filme finden vielfache Anwendung in optischen Systemen und der Mikroelektronik. Diese Dielektrika mit sehr großer Bandlücke besitzen hervorragende optische und Isolationseigenschaften, sind sehr beständig und lassen sich durch epitaktisches Wachstum auf Halbleitersubstraten präparieren. Für den Einsatz in Hochleistungsoptiken ist die Oberflächenpräparation von entscheidender Bedeutung, da im Bereich höchster Laserintensitäten kleinste präparationsbedingte residuale Absorptionen zur Materialzerstörung führen können. Es werden verschiedene Aspekte der Charakterisierung elekronischer und struktureller Eigenschaften von Fluoridoberflächen diskutiert, wobei die Raster-Kraft-Mikroskopie eine herausragende Rolle einnimmt. Für technisch relevante Oberflächen sind Reaktionen mit Gasen aus der Armosphäre der letztendlich begrenzende Faktor für die Oberflächenqualität. Mit der Kraftmikroskopie lassen sich Degradationsprozesse bei Gasexposition sichtbar machen, wobei bei geringer Gasdosierung erstmals eine Abbildung von Defekten mit atomarer Auflösung gelungen ist. Die Mechanismen der Abbildung auf atomarer Ebene werden diskutiert.

Ort: Wilhelm-Klemm-Str. 9, Hörsaal 404

Zeit: 17 Uhr c.t.

Einladender: Fuchs