In schwach gekoppelten Multiquantenschicht-Strukturen wird der elektrische Transport durch sequentielles Tunneln zwischen den lokalisierten Zuständen in den einzelnen Schichten bestimmt. Ausgehend von den berechneten Spektralfunktionen der Zustände läßt sich der Tunnelstrom quantitativ ohne die Verwendung von anpassbaren Parametern berechnen[1]. Unter Einbeziehung der Poissongleichung erhält man ein System von Ratengleichungen für die Elektronendichten in den einzelnen Schichten. Auf diese Weise lassen sich sowohl die Ausbildung stabiler Domänenstrukturen als auch das Auftreten von selbstgenerierten Stromoszillationen in guter quantitativer Übereinstimmung mit experimentellen Ergebnissen modellieren[2].

Unter starker Einstrahlung von Mikrowellen findet man sowohl zusätzliche Resonanzen durch photonen-assistierte Übergänge als auch einen negativen Leitwert in quantitativer Übereinstimmung mit dem Experiment[3].

1. Wacker and A.-P. Jauho, Physica Scripta T69, 321 (1997).
2. Wacker, Vertical transport and domain formation in multiple quantum wells, Kapitel 10 in Theory of Transport Properties of Semiconductor Nanostructures, herausgegeben von Eckehard Schöll (Chapman and Hall, in Vorbereitung) (cond-mat/970105).
3. Wacker, A.-P. Jauho, S. Zeuner, and S. J. Allen, (cond-mat/9612035).

Ort: Wilhelm-Klemm-Str. 10, Seminarraum 718

Zeit: 11 Uhr c.t.

Einladender: Kuhn