Lehrstuhl Prof. Dr. J. Pollmann gemeinsam mit Prof. Dr. P. Krüger und PD Dr. M.
Rohlfing
SiC Oberflächen
Siliziumkarbid (SiC) ist ein Halbleitermaterial mit vielversprechendem Potential für Anwendungen in der
Mikro- und Optoelektronik. Daher werden SiC Oberflächen weltweit intensiv studiert. Wir haben in
diesem Themenbereich unsere Untersuchungen von SiC Oberflächen weitergeführt und strukturelle
sowie elektronische Eigenschaften von technologisch wichtigen SiC(001) Oberflächen im Detail
analysiert. Im Vordergrund unseres Interesses standen dabei die experimentell beobachtete Bildung von
Si Nanodrähten auf SiC(001) Oberflächen und die Metallisierung von SiC(001)-(3x2) durch
Adsorption von Wasserstoff. Das Auftreten von Si Nanodrähten kann im Rahmen eines relativ einfachen
Rekonstruktionsmodells erklärt werden, welches durch parallel von uns durchgeführte,
aufwändige DFT-LDA Rechnungen quantitativ gestützt wird. Weiterhin liefern unsere
Berechnungen plausible Szenarien für die Metallisierung der SiC(001)-(3x2) Oberfläche durch
H Adsorption. Ein in der Literatur für diese Metallisierung vorgeschlagenes Modell erweist sich in
unseren Ergebnissen als nicht zutreffend. Die numerischen Untersuchungen der Metallisierung von
SiC(001)-(3x2) durch H Adsorption und der Bildung von Nanodrähten auf SiC(001)-(Nx2) Oberflächen
sind sehr aufwändig und wurden daher extern auf den Parallelrechnern am
John von Neumann Institut für Computing (NIC) des Forschungszentrums
Jülich durchgeführt.
