Die Eigenschaften von Halbleiterschichten für die Mikroelektronik werden mit fortschreitender Miniaturisierung der Bauelemente zunehmend von der Struktur der Grenzflächen bestimmt. Die modernen Methoden der hochauflösenden Elektronenmikroskopie ermöglichen es, Struktur und chemische Zusammensetzung auf nahezu atomarer Skala zu ermitteln und bieten damit für die Charakterisierung von Schichtwachstumsprozessen und für die Defektphysik einzigartige Möglichkeiten. Im Vortrag werden aktuelle Forschungsanwendungenen aus dem Bereich der Halbleiterschichtsysteme für zukünftige Anwendungen in der Mikroelektronik und der Halbleiterphysik vorgestellt. Am Beispiel des Silizium-Germanium-Systems werden zunächst die bei der Heteroepitaxie von Halbleitermaterialien beobachteten Phänomene der Selbstorganisation in Form von Inselbildung und Ordnung von Inseln in Vielfachschichten und die damit verbundenen Photolumineszens-Eigenschaften behandelt. Außerdem wird die Bedeutung der Strukturcharakterisierung von Grenzflächen und Korngrenzen für das Verständnis von Schichtwachstum und Schichteigenschaften am Beispiel des auch für die Leistungs- und Hochtemperaturelektronik interessanten Diamant-Silizium-Systems erläutert.

Ort: Wilhelm-Klemm-Str. 9, Hörsaal 404

Zeit: 17 Uhr c.t.

Einladender: Kohl