Montag, 22. Oktober 2001

Institut für Angewandte Physik, ETH Zürich

Für die elektrische Leitfähigkeit, die Plastizität, und viele andere Festkörpereigenschaften ist die atomare Nahordnung von fundamentaler Bedeutung. Die Nahordnung kann mit Hilfe der diffusen Neutronen- und Röntgenstreuung quantitativ charakterisiert werden. Bei diesen Methoden erhält man Mittelwerte über relativ große Probenvolumina. In einem modernen Elektronenmikroskop können mit der bis heute relativ selten eingesetzten diffusen Elektronenstreuung wesentlich kleinere Probenbereiche untersucht werden. Dies ist für viele materialwissenschaftliche Fragestellungen von Vorteil, insbesondere bei heterogenen Systemen mit Inhomogenitäten im Bereich von einigen 100 Nanometern.

Anhand von zwei aktuellen Problemen aus der Plastizität und der Halbleiterphysik wird zunächst die Notwendigkeit einer lokal hochaufgelösten Ordnungsgradbestimmung demonstriert, da dort die klassischen Methoden versagen. Das Zustandekommen des diffusen Streusignals und die Physik der diffusen Elektronenstreuung werden anschließend erläutert, und es wird gezeigt, wie diffuse Streubilder simuliert werden können. Solche Simulationen liefern durch den Vergleich mit experimentellen Bildern quantitative Resultate zum Nahordnungszustand in der Probe.

Ort: Wilhelm-Klemm-Str. 10, IG I, HS 2

Zeit: 17 Uhr c.t.

Kolloquiums-Kaffee ab 16.45 Uhr vor dem Hörsaal