Die moderne Mikroelektronik nutzt die gezielte Beeinflussung der Leitfähigkeit des Siliziums durch Dotierstoffe, um spezielle Bauelementeigenschaften über die Zahl und die Polarität der Ladungsträger (Elektronen oder Löcher) einzustellen. In dünnen magnetischen Schichtsystemen wird der elektronische Transport aber auch maßgeblich durch den Spin der Elektronen bestimmt. Notwendig dafür ist eine Kontrolle der individuellen Schichtdicken und Grenzflächen bis in den Monolagen-Bereich, die sicherstellt, dass die Spininformation der Elektronen beim Wechsel zwischen den Schichten nicht verloren geht. Ist dies gewährleistet, können in geeigneten Schichtstrukturen große Änderungen des Widerstandes durch kleine Magnetfelder induziert werden.